シリサイド化用レーザアニール装置

YIELDSCAN^®

• エキシマレーザと独自の搬送システムによる高生産性
  高出力エキシマレーザおよびトップフラットビーム採用により、固体レーザよりも高い処理性能を有しており、ウェハー搬送によるプロセス待ち時間を最小化する搬送システムを構築することで、高い生産性を実現しました。
• ウェハー表面デバイス面を損傷させないレーザプロセス
  レーザアニール装置では、一般的にUVまたはグリーンの波長が使用されています。UVは、グリーンよりも金属膜への吸収率が高いため効率的にアニールすることができます。また、パルス幅30nsのパルスレーザにより、非照射面への金属パターン等への熱の影響を小さくできるため、熱伝導の高いSiC基板においても非照射面のデバイス面への熱影響を低減できます。
• レーザ照射により発生するヒューム処理機能
  ウェハーのレーザ照射時にSi, C,金属膜成分がヒュームとして発生し照射エリア周辺に飛散するため、ヒュームによるチャンバー内汚染により機器および計器類の不具合発生や、通常よりも短いサイクルでの機器メンテナンスを要する場合があります。照射部周辺の流れ場をコントロールすることでヒュームの飛散を低減する技術を実現しました。