半導体用レーザ応用装置は、エキシマレーザ（波長選択可）を光源に採用し、矩形トップフラットビームをスキャン動作もしくはステップアンドリピート動作で基板上に照射します。各種半導体プロセス（結晶化、活性化、合金化、LLO等）の基礎試験用としてご使用いただけます。
| レーザ | 波長 | 248 nm、308 nm、351 nmから選択可 |
|---|---|---|
| 周波数 | 20 Hz～100 Hz | |
| パルス幅 | 20 ns（典型値） | |
| 光学系 | ビーム形状 | 正方形、長方形 |
| 最大エネルギー密度 | お問い合わせください | |
| 装置フットプリント [mm] | W 1,500 × L 2,000 × H 2,200 | |
