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マイクロレーザアニール（µLA）装置は、マスクパターンで制御された微小ビームを、基板上の特定の位置へ照射します。µLA装置により、ベース基板を高温にすることなく、マクロメータオーダの微小領域の薄膜を、結晶化、活性化、高誘電化するなど改質することができます。
半導体量産工場で使用されています。
| ワークサイズ | 6インチ、8インチ | |
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| 位置決め精度 | ±5µm | |
| レーザ | 波長 | 248nm |
| パルス幅 | 20ns | |
| 出力 | 30W | |
| スループット | 3min / wafer (6インチ) | |
| 照射 | Mask Projection, Top flat beam Min Sq 10µm / Max Sq 2.4mm Several pattern on 9inch Mask |
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| 装置寸法 | W3,200 × D4,000 × H2,500 (With automatic wafer handling) |
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※ YIELDSCAN：登録商標番号6553271
